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SQ3418EEV
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
0.6
0.3
60
57
I D = 1 mA
0.0
54
- 0.3
I D = 5 mA
51
- 0.6
I D = 250 μA
- 0.9
- 1.2
48
45
- 50 - 25
0
25 50 75 100
125
150
175
- 50 - 25
0 25 50 75 100 125
150
175
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
100
I DM Limited
T J - Junction Temperature ( ° C)
Drain-Source Breakdown vs. Junction Temperature
10 Limited by R D S (on) *
I D Limited
1
0.1
T C = 25 ° C
S ingle Pul s e
0.01
BVD SS Limited
100 μ s
1 m s
10 m s
100 m s
1 s , 10 s , DC
0.01
0.1 1 10 100
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Safe Operating Area
S11-2124-Rev. C, 07-Nov-11
5
Document Number: 65357
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